力神电子 新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别
传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。
金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛
半导体通常为硅(Si)或砷化镓(GaAs)。
由于力神电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，
故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，
提高反向击穿电压，逆变器机头同时又不使串联电阻过大，
通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。其结构示图如图1(a)，
图形符号和等效电路分别如图1(b)和图1(c)所示。在图1(c)中，
CP是管壳并联电容，LS是引线电感，
RS是包括半导体体电阻和引线电阻在内的串联电阻，
Cj和Rj分别为结电容和结电阻(均为偏流、偏压的函数)。
大家知道，金属导体内部有大量的导电电子。
当金属与半导体接触(二者距离只有原子大小的数量级)时，
金属的费米能级低于半导体的费米能级。
在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，
电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，
电子套件
会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，
半导体带正电荷。由于金属是理想的导
负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。
而对于N型半导体来说，电瓶升压器失去电子的施主杂质原子成为正离子，
则分布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属扩散运动的结果，
形成空间电荷区、自建电场和势垒，
并且耗尽层只在N型半导体一边(势垒区全部落在半导体一
三亚区中自建电场方向由N型区指向金属，
随热电子发射自建场增加，与扩散电流方向相反的漂移电流增大，
终达到动态平衡，在金属与半导体之间形成一个接触势垒，这就是力神电子套件